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记者5月3日获悉，国际著名半导体公司英飞凌与北京天科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议，以确保获得更多具有竞争力的碳化硅来源。天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料。

英飞凌是国际著名的半导体公司，其前身是西门子集团的半导体部门，在功率半导体市场占有率国际第一；天科合达碳化硅材料公司是具有中科院背景和国资背景的高科技企业，在导电衬底领域尤为出色，占据了国内一半以上的市场份额。

英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg表示：“为了满足不断增长的SiC需求，英飞凌正在大幅提高其马来西亚和奥地利生产基地的制造能力。同时，为了向客户提供综合全面的产品，英飞凌目前正加倍投资SiC技术和产品组合，并落实一项多供应商和多国采购战略以增强自身弹性。天科合达的材料性能非常出色，我们十分高兴能够与他们签订一份具有竞争力的协议。”

天科合达CEO杨建表示：“全球领先的功率半导体公司英飞凌能够成为天科合达的客户，我们感到十分高兴。我们将不断改进我们的SiC材料并加快开发新一代8英寸晶圆技术，英飞凌是我们在该领域的优秀合作伙伴。”

此次双方合作协议的签订，是英飞凌公司对天科合达产品质量的充分肯定，也是英飞凌完善供应链建设的一次关键选择。据记者了解，英飞凌位于马来西亚居林的碳化硅工厂计划于2024年投产，预计天科合达将会有效保证该厂的碳化硅晶圆供应。

中科院物理研究所碳化硅团队负责人、天科合达首席科学家陈小龙研究员表示，碳化硅是引领第三代半导体产业发展的重要材料，应用前景广阔，大大助力于“双碳”战略的实施。碳化硅属于第三代半导体材料，和第一代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比，具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。

对于这次签约，陈小龙说，国际碳化硅器件厂商与材料厂签订长约，一直是普遍的做法。英飞凌锁定天科合达的部分产能，既有利于推动天科合达技术进步，也巩固了英飞凌的供应链系统，是一个双赢的选择。

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